工業(yè)硅片上長(zhǎng)出“完美”二維超薄材料,可用于制造下一代晶體管和電子薄膜
2023-01-19 08:16:46 | 來(lái)源:云財(cái)經(jīng) |
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【資料圖】
據(jù)發(fā)表在最新一期《自然》雜志上的論文,美國(guó)麻省理工學(xué)院工程師開(kāi)發(fā)出一種“非外延單晶生長(zhǎng)”方法,在工業(yè)硅晶圓上生長(zhǎng)出純凈的、無(wú)缺陷的二維材料,以制造越來(lái)越小的晶體管。麻省理工學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)用二維材料過(guò)渡金屬二硫化物(TMD)制造了一種簡(jiǎn)單的功能晶體管,這種材料在納米尺度上比硅具有更好的導(dǎo)電性。研究人員表示,未來(lái)或可制造出小于幾納米的器件,這將改變摩爾定律的范式。(科技日?qǐng)?bào))