芯片上“長(zhǎng)”出原子級(jí)薄晶體管,可大幅提高集成電路密度
2023-05-04 07:22:44 | 來(lái)源:云財(cái)經(jīng) |
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【資料圖】
美國(guó)麻省理工學(xué)院一個(gè)跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種低溫生長(zhǎng)工藝,可直接在硅芯片上有效且高效地“生長(zhǎng)”二維(2D)過(guò)渡金屬二硫化物(TMD)材料層,以實(shí)現(xiàn)更密集的集成。這項(xiàng)技術(shù)可能會(huì)讓芯片密度更高、功能更強(qiáng)大。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期《自然·納米技術(shù)》雜志上。這項(xiàng)技術(shù)繞過(guò)了之前與高溫和材料傳輸缺陷相關(guān)的問(wèn)題,縮短了生長(zhǎng)時(shí)間,并允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層,這使其成為商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。(科技日?qǐng)?bào))