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在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會上，中國工程院院士丁榮軍表示，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)(包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù))已經(jīng)開始獲得應(yīng)用，并具有很大的性能及市場潛力，將在未來十年獲得高達年復(fù)合20%以上的快速增長。丁榮軍指出，在電動汽車的應(yīng)用驅(qū)動、性價比權(quán)衡、消費慣性等因素影響下，未來十年Si-IGBT仍將是功率半導(dǎo)體器件的主流，并將與碳化硅功率器件長期并存。(上證報)

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